三靶磁控濺射技術的特點
1. 高純度
三靶磁控濺射技術可以在真空條件下進行，避免了薄膜中雜質(zhì)的污染，從而可以制備高純度的薄膜。
2. 復雜薄膜的制備
三靶磁控濺射技術可以同時利用三種不同材料制備出具有復雜組成的薄膜，這在傳統(tǒng)的濺射技術中是無法實現(xiàn)的。
3. 微納結(jié)構(gòu)的制備
三靶磁控濺射技術可以控制薄膜的成分和結(jié)構(gòu)，從而可以制備出具有特定微納結(jié)構(gòu)的薄膜。
4. 生產(chǎn)效率高
三靶磁控濺射技術具有生產(chǎn)效率高的優(yōu)點，可以在較短時間內(nèi)制備出大面積的高質(zhì)量薄膜。
優(yōu)點
1. 應用范圍廣
三靶磁控濺射技術可以制備出多種材料的薄膜，包括金屬、氧化物、氮化物、硅等，因此在電子、光電、信息、材料等領域具有廣泛的應用。
2. 薄膜性能優(yōu)異
三靶磁控濺射技術制備的薄膜具有優(yōu)異的物理、化學性質(zhì)，例如高硬度、高粘附力、高抗腐蝕性、高導電性、高光學透明性等，因此在各種應用中具有重要作用。
3. 制備過程可控性高
三靶磁控濺射技術可以控制濺射能量、壓力、溫度等多個參數(shù)，從而可以**控制薄膜的成分和微納結(jié)構(gòu)，滿足不同應用的要求。
4. 適應性強
三靶磁控濺射技術可以在不同基底上進行制備，包括硅、玻璃、陶瓷、金屬等，因此具有較強的適應性和靈活性。