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○ 產(chǎn)品介紹
等離子體增強型化學氣相沉積（PECVD）技術是借助于輝光放電（等離子體）使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學反應，從而實現(xiàn)薄膜生長的一種制備技術。我公司綜合了多項實驗要求設計生產(chǎn)了四路質(zhì)子混氣管式pecvd系統(tǒng)，能廣泛適應各類薄膜研究的需要比如：石墨烯制備、C納米材料制備、氧化物制備。是一款****的薄膜制備器材
○ 適用范圍
能廣泛適應各類薄膜研究的需要比如：石墨烯制備、C納米材料制備、氧化物制備。是一款****的薄膜制備器材
○ 技術參數(shù)
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產(chǎn)品特點 |
與普通的CVD系統(tǒng)相比，因為有等離子源的介入,系統(tǒng)的沉積溫度相對較低。配備有滑軌式管式爐可以輕松實現(xiàn)快速降溫，實現(xiàn)快速退火。操控界面可配備液晶操作系統(tǒng)，圖文顯示，直觀易懂，對于設備的使用操作簡單易學該系統(tǒng)較高工作溫度接近1150℃，能滿足大多數(shù)熱處理場合。該設備可具體用于：碳、ZnO納米管或納米線的制備也可以用于制備單層石墨烯以及各種CVD實驗。 |
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等離子發(fā)生器 |
輸出功率:5～500W±1%.射頻頻率:13.56 MHz±0.005%.反射功率:較大約200W阻抗匹配:自動 |
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真空泵機組 |
雙極旋片泵,極限真空0.1PaKFD25快接，不銹鋼波紋管，手動擋板閥與法蘭，真空泵相連.管內(nèi)真空可達1Pa可選：本公司進口的防腐型數(shù)字式真空顯示計，其測量范圍為3.8x10-5至1125 Torr.不需因測量氣體種類不同而需要系數(shù)轉(zhuǎn)換。（需要另外計算費用 |
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質(zhì)量流量計 |
三通道的質(zhì)量流量計(精度0.02%)：數(shù)字顯示，自動控制.MFC 1范圍:0~100 sccmMFC 2和3:0~500 sccm一個混氣罐，底部裝有泄廢液口.進氣接口:1/4NPS.出氣接口:1/4NPS. |
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水冷系統(tǒng) |
水冷法蘭要求：水流量>=10L/M，配有專業(yè)水冷機組。 |
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管式爐 |
爐管直徑：80mm爐管長度：1400mm爐膛長度：440mm控溫精度：±1℃工作溫度：≦1200℃ |
○免責聲明
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