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○ 產(chǎn)品介紹
等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積（PECVD）技術(shù)是借助于輝光放電（等離子體）使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜生長(zhǎng)的一種制備技術(shù)。我公司綜合了多項(xiàng)實(shí)驗(yàn)要求設(shè)計(jì)生產(chǎn)了四路質(zhì)子混氣管式pecvd系統(tǒng)，能廣泛適應(yīng)各類薄膜研究的需要比如：石墨烯制備、C納米材料制備、氧化物制備。是一款****的薄膜制備器材
○ 適用范圍
能廣泛適應(yīng)各類薄膜研究的需要比如：石墨烯制備、C納米材料制備、氧化物制備。是一款****的薄膜制備器材
○ 技術(shù)參數(shù)
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產(chǎn)品特點(diǎn) |
與普通的CVD系統(tǒng)相比，因?yàn)橛械入x子源的介入,系統(tǒng)的沉積溫度相對(duì)較低。配備有滑軌式管式爐可以輕松實(shí)現(xiàn)快速降溫，實(shí)現(xiàn)快速退火。操控界面可配備液晶操作系統(tǒng)，圖文顯示，直觀易懂，對(duì)于設(shè)備的使用操作簡(jiǎn)單易學(xué)該系統(tǒng)較高工作溫度接近1150℃，能滿足大多數(shù)熱處理場(chǎng)合。該設(shè)備可具體用于：碳、ZnO納米管或納米線的制備也可以用于制備單層石墨烯以及各種CVD實(shí)驗(yàn)。 |
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等離子發(fā)生器 |
輸出功率:5～500W±1%.射頻頻率:13.56 MHz±0.005%.反射功率:較大約200W阻抗匹配:自動(dòng) |
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真空泵機(jī)組 |
雙極旋片泵,極限真空0.1PaKFD25快接，不銹鋼波紋管，手動(dòng)擋板閥與法蘭，真空泵相連.管內(nèi)真空可達(dá)1Pa可選：本公司進(jìn)口的防腐型數(shù)字式真空顯示計(jì)，其測(cè)量范圍為3.8x10-5至1125 Torr.不需因測(cè)量氣體種類不同而需要系數(shù)轉(zhuǎn)換。（需要另外計(jì)算費(fèi)用 |
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質(zhì)量流量計(jì) |
三通道的質(zhì)量流量計(jì)(精度0.02%)：數(shù)字顯示，自動(dòng)控制.MFC 1范圍:0~100 sccmMFC 2和3:0~500 sccm一個(gè)混氣罐，底部裝有泄廢液口.進(jìn)氣接口:1/4NPS.出氣接口:1/4NPS. |
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水冷系統(tǒng) |
水冷法蘭要求：水流量>=10L/M，配有專業(yè)水冷機(jī)組。 |
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管式爐 |
爐管直徑：80mm爐管長(zhǎng)度：1400mm爐膛長(zhǎng)度：440mm控溫精度：±1℃工作溫度：≦1200℃ |
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