本設(shè)備為傾斜樣品臺式單靶磁控鍍膜儀，樣品臺與靶面的角度可調(diào)，可用于制作特定生長角度的薄膜。設(shè)備外形為桌面級別，大大減少了安裝場地需求。設(shè)備配有一個直流電源，可用于金屬及其他導(dǎo)電材料的濺射。設(shè)備真空系統(tǒng)采用渦輪分子泵組，抽氣速度快，極限真空度高，真空性能優(yōu)異。本設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊功能完善便于使用，非常適合用于各類鍍膜試驗。

傾斜樣品臺式單靶磁控技術(shù)參數(shù)：

CY-MSP180G-AR（adjustable Angel rotate） 傾斜樣品臺式單靶磁控
樣品臺	尺寸	φ60mm	轉(zhuǎn)速	轉(zhuǎn)速0-20rpm可調(diào)
磁控濺射靶	數(shù)量	2” x1
真空腔體	腔體尺寸	φ180mm X 150mm	觀察窗口	全向可視
	腔體材料	高純石英	開啟方式	頂蓋拆卸式
	下法蘭	含有樣品臺傾斜機構(gòu)及旋轉(zhuǎn)機構(gòu)
真空系統(tǒng)	機械泵	雙級旋片泵	抽氣接口	KF16
	分子泵	渦輪分子泵	抽氣接口	KF40
	真空測量	電阻規(guī)+電離規(guī)	排氣接口	KF40
	極限真空	1.0E-3Pa	供電電源	AC 220V 50/60Hz
	抽氣速率	前級泵 1.1L/s 分子泵：60L/S
電源配置	數(shù)量	直流電源 x1	*大輸出功率	直流電源300W
其他	供電電壓	AC220V,50Hz	整機尺寸	500mm X 320mm X6200mm
	整機功率	2kW