0371-5536 5392 0371-5519 9322
本設(shè)備為單靶磁控鍍膜儀,可用于金屬薄膜的制備,在電子領(lǐng)域、光學(xué)領(lǐng)域、特殊陶瓷制備等領(lǐng)域均有應(yīng)用,也可實驗室SEM樣品制備。
本套配置采用石英真空腔體,鍍膜過程全向可視,便于實驗的觀察記錄,腔體設(shè)計開啟方便,易于清理,十分適合實驗室使用。同時設(shè)備配有旋轉(zhuǎn)加熱樣品臺,可以有效提高薄膜的均勻性和成膜的質(zhì)量。整機(jī)采用模塊化設(shè)計,操作邏輯簡單,操作界面直觀,利于上手。
單靶磁控鍍膜儀技術(shù)參數(shù):
產(chǎn)品名稱
桌面型單靶磁控濺射鍍膜儀
產(chǎn)品型號
CY-MSP180G-1T-A
安裝條件
1、使用環(huán)境溫度 25℃±15℃,濕度 55%Rh±10%Rh;
2、設(shè)備供電:AC220V,50Hz,必須有良好接地;
3、額定功率:1000w;
4、設(shè)備用氣:設(shè)備腔室內(nèi)需充注氬氣清洗,需客戶自備氬氣,純度 ≥99.99%;
5、擺放工作臺尺寸要求 600mm×600mm×700mm,承重 50kg 以上;
6、擺放位置要求通風(fēng)散熱良好。
技術(shù)參數(shù)
1、 濺射電源:直流電源300W;*大輸出電壓600V,極限輸出電流500mA
2、 磁控靶:2英寸平衡靶,配磁耦合擋板;
3、 磁控靶適用靶材: φ50mm x 3mm厚
4、 腔體尺寸:φ180mm x 200mm;
5、 腔體材質(zhì): 高純石英
6、 旋轉(zhuǎn)加熱樣品臺:轉(zhuǎn)速1~20rpm 連續(xù)可調(diào);加熱溫度*高500℃,升溫速度推薦10℃/min,*高20℃/min。
7、 冷卻方式:磁控靶及分子泵需要循環(huán)水冷機(jī);
8、 水冷機(jī):水箱容積9L,流速10L/min
9、 供氣系統(tǒng):質(zhì)量流量計, 氣體類型Ar氣,流量1~30sccm(可定制);
10、 流量計精度:±1.5%量程
11、 真空腔體抽氣接口為 KF25;
12、 進(jìn)氣接口為 1/4 英寸雙卡套接頭;
13、 顯示屏為7英寸彩色觸摸屏;
14、 可調(diào)節(jié)濺射電流,可設(shè)置濺射**電流值、**真空值;
15、 **保護(hù):過流、真空過低自動切斷濺射電流;
16、 極限真空:5E-4Pa(搭配分子泵);
17、 真空測量為電阻規(guī)真空計,其量程為:1~105Pa
注意事項
1、磁控濺射工作真空較高,一般在2Pa之內(nèi),需要配分子泵使用。
2、為了達(dá)到較高的無氧環(huán)境,至少要用高純惰性氣體對真空腔體清洗 3 次。
3、磁控濺射對進(jìn)氣量比較敏感,需要使用質(zhì)量流量計控制進(jìn)氣量
可選配件
膜厚監(jiān)測儀
1、膜厚分辨率:0.0136?(鋁)
2、膜厚準(zhǔn)確度:±0.5%,取決于過程條件,特別是傳感器的位置,
材料應(yīng)力,溫度和密度
3、測量速度:100ms-1s/次,可設(shè)置測量范圍:500000?(鋁)
4、標(biāo)準(zhǔn)傳感器晶體:6MHz
5、適用晶片頻率:6MHz 適用晶片尺寸:Φ14mm 安裝法蘭:CF35
其他配件
1、CY-CZK103系列高性能分子泵組(含復(fù)合真空計,測量范圍10-5Pa~105Pa);
CY-GZK60系列小型分子泵組(含復(fù)合真空計,測量范圍10-5Pa~102Pa)
VRD-4雙極旋片真空泵;
2、KF25真空波紋管;長度可選0.5m、1m、1.5m;KF25卡箍支架
3、膜厚儀晶振片;
4、不銹鋼微調(diào)閥(僅適用于鍍膜要求低的場合)