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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:PECVD等離子體增強化學氣相沉積

  • 產(chǎn)品型號:TN-PECVD-450
  • 產(chǎn)品廠商:泰諾
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡單介紹:
化學氣相沉積采用等離子體增強型化學氣相沉積技術(shù),能夠利用高能量等離子體促進反應過程,有效提升反應速度,降低反應溫度。適用于在光學玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜,成膜質(zhì)量好,針孔較少,不易龜裂,適用于制備非晶硅和微晶硅薄膜太陽電池器件,可廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備
詳情介紹:

化學氣相沉積技術(shù)參數(shù):

供電電源

AC220V 50Hz (歐標)

射頻電源

信號頻率

13.56MHz

功率輸出范圍

0~500W

*大反射功率

100W

反射功率 (在*大功率時)

<5W

功率穩(wěn)定性

±0.1%

工作腔體

加熱溫度

RT-1000℃

溫控精度

±1℃

樣品臺尺寸

Φ200mm

樣品臺轉(zhuǎn)速

1-20rpm 可調(diào)

噴頭尺寸

Φ90mm

距離

噴頭與樣品之間的距離40-100mm連續(xù)可調(diào)

沉積工作真空

0. 133- 133Pa (可根據(jù)工藝調(diào)整)

法蘭

上法蘭可由電機升降,基材易更換,并有可視窗口

腔體

不銹鋼材質(zhì), Φ500mm * 500mm

觀察窗

Φ100mm, 帶擋板

供氣系統(tǒng)

通道數(shù)

6

測量單位

質(zhì)量流量計

測量范圍

A 通道: 0200SCCM for H2  

B 通道: 0200SCCM for CH4

C 通道: 0200SCCM for C2H4

D通道: 0500SCCM for N2

E通道: 0500SCCM for NH3

F通道: 0500SCCM for Ar

測量精度

±1.5%F.S

工作壓差

-0.15Mpa~0.15Mpa

連接管材質(zhì)

304 不銹鋼

氣路

304 不銹鋼針閥

進氣和出氣接口規(guī)格

1/4" 卡套接頭

真空系統(tǒng)

前級泵抽速

4.7L/s

分子泵抽速

1200L/s

真空測量

復合真空計, 范圍10-5Pa ~ 105Pa

真空度

5.0*10-3Pa

水冷機

冷卻水溫度

37

水流速

10L/min

功率

0.1KW

冷卻功率

50W/℃

空壓機

OTS-550

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